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湖南浩威特科技发展有限公司

铝碳化硅, 封装基板, 功率模块, 散热柱

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铝碳化硅IGBT模块基板(HWT-01)
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产品: 浏览次数:130铝碳化硅IGBT模块基板(HWT-01) 
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最后更新: 2017-08-11 15:56
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“铝碳化硅IGBT模块基板(HWT-01)”参数说明

热导率: >170

“铝碳化硅IGBT模块基板(HWT-01)”详细介绍

  铝碳化硅AlSiC(有的文献英文所略语写为SiCp/Al或Al/SiC、SiC/Al)是一种颗粒增强金属基复合材料,采用Al合金作基体,按设计要求,以一定形式、比例和分布状态,用SiC颗粒作增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。AlSiC研发较早,理论描述较为完善,有品种率先实现电子封装材料的规模产业化,满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的“轻薄微小”的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频系统芯片等封装分析作用极为凸现,成为封装材料应用开发的重要趋势。
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