“高压板专用贴片高压电容”参数说明
类型: | 高频瓷介电容器 | 使用电压: | 高压 |
温度系数: | 正温度系数 | 介电常数: | 高介电常数 |
特点: | I型 | 0603-2225: | Np0-X7r |
“高压板专用贴片高压电容”详细介绍
我司可提供长寿命,耐高温体积小的贴片电容,目前已推广多家工厂使用,可替代CBB电容。解决CBB电容体极大,不能耐高温的问题,贴片电容温度系数可达-55---+125度,寿命可达10年
主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能。
一、概述:
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
二、详细说明:
主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能。
专业供应SMD中高压贴片电容,高容贴片电容,安规贴片电容,TDK原装电容器
MLCC封装:0603,0805,1206,1210,1812,2220,2225全系列
MLCC容值:10PF-1000PF-10NF-100NF-1UF-22UF-47UF-100UF(中间国标容值全部都有)
MLCC电压:6.3v-100V-250V-500V-630V-1KV-2KV-3KV-5kv(中间电压全部都有)
MLCC材质:NPO-COG-X7R-X5R
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小,确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源。
工作温度范围:-55~125℃
额定电压:100VDC~3000VDC
温度特性:NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA Class I)X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA
Class II)
容量范围:NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ):NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻:10GΩ或 500/CΩ取两者最小值
老化速率:NPO:1%;X7R:2.5%一个decade时间
介质电耐电压:100V≤V<500V:200%
额定电压 500V≤V<1000V:150%额定电压 1000v≤V:120%额定电压
性能参数:
1.材质NPO(COG)。X7R.X5R.Y5V
2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
4.封装0201-0805-1206-1812-2225
主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能。
一、概述:
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
二、详细说明:
主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能。
专业供应SMD中高压贴片电容,高容贴片电容,安规贴片电容,TDK原装电容器
MLCC封装:0603,0805,1206,1210,1812,2220,2225全系列
MLCC容值:10PF-1000PF-10NF-100NF-1UF-22UF-47UF-100UF(中间国标容值全部都有)
MLCC电压:6.3v-100V-250V-500V-630V-1KV-2KV-3KV-5kv(中间电压全部都有)
MLCC材质:NPO-COG-X7R-X5R
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小,确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源。
工作温度范围:-55~125℃
额定电压:100VDC~3000VDC
温度特性:NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA Class I)X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA
Class II)
容量范围:NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ):NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻:10GΩ或 500/CΩ取两者最小值
老化速率:NPO:1%;X7R:2.5%一个decade时间
介质电耐电压:100V≤V<500V:200%
额定电压 500V≤V<1000V:150%额定电压 1000v≤V:120%额定电压
性能参数:
1.材质NPO(COG)。X7R.X5R.Y5V
2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
4.封装0201-0805-1206-1812-2225