闪存 K9F1G08U0D/U0E--SCB0/SIB0

是否有现货：	是	功能结构：	数字集成电路
封装：	Tsop	制作工艺：	半导体集成电路
导电类型：	双极型	集成度高低：	大规模集成电路
应用领域：	标准通用	型号：	K9F1G08U0D

　　品牌 容量（M） 型号 HYNIX 16 HY27US08281A-TPCB 三星 32 K9F5608UOD-PCB0 三星 32 K9F5608UOD-PIB0（30只） HYNIX 32 HY27US08561A-TPCB 三星 64 K9F1208U0C-PCB0 HYNIX 64 HY27US08121B-TPCB 三星 64 H27U518S2CTR-BC 三星 128 K9F1G08U0C-PIB0 三星 128 K9F1G08U0D-SCB0 三星 128 K9F1G08U0D-SIB0 HYNIX 128 H27U1G8F2BTR-BC 三星 128 K9F1G08U0C-PIB0 三星 128 K9F1G08U0C-PCB0 HYNIX 128 HY27UF081G2A-TPCB 东芝 128 TC58NVG0S3ETA0  spansion 128 S34ML01G10TFI0 MT 128 MT29F1G08ABAEAWP：E 三星 256 K9F2G08U0B-PCB0 三星 256 K9F2G08U0B-PIB0 三星 256 K9F2G08U0C-SIB0 三星 256 K9F2G08U0C-SCB0 HYNIX 256 H27U2G8F2CTR-BC HYNIX 256 HY27UF082G2B-TPCB 东芝 256 TC58NVG1S3ETA0 spansion 256 S34ML02G10TFI0 三星 512 K9G4G08U0B-PCB0 三星 512 K9F4G08U0B-PCB0 三星 512 K9F4G08U0B-PIB0 三星 512 K9F4G08U0D-SCBO MICRON 512 NAND512W3A2SN6E 东芝 512 TC58NVG2S3ETA0 HYNIX 512 HY27US084G2B-TPCB MT 512 MT29F4G08ABADAWP-IT： D spansion 512 S34ML04G10TFI0 三星 1GB K9G8G08U0C-SCB0 三星 1GB K9G8G08U0A-PCB0 三星 1GB K9F8G08U0M-PCB0 三星 1GB K9K8G08U0D-SCB0 三星 1GB K9K8G08U0B-PCB0 spansion 1GB S34ML08G101TFI0 三星 1GB K9K8G08U0D-SCB0 MT 1GB MT29F8G08ABABAWP：B MT 1GB MT29F8G08BEBAAA 三星 2GB K9GAGO8U0F-SCB0 三星 2GB K9GAG08U0E-SCB0 三星 2GB K9GAG08U0D-PCB0 三星 2GB K9GAG08U0M-PCB0 东芝 2GB TC58NVG4D2HTA0 三星 2GB K9WAG08U1B-PCB0/PIB0 MT 2GB MT29F16G08MAAWP：A MT 2GB MT29F16G08CBACAWP：B HYNIX 2GB H27UAG8T2BTR-BC HYNIX 2GB H27UAG8T2ATR-BC 三星 4GB K9LBG08UOD-PCB0 三星 4GB K9LBG08UOM-PCB0 三星 4GB K9GBG08U0A-SCB0 HYNIX 4GB H27UBG8T2ATR-BC HYNIX 4GB H27UBG8T2BTR-BC HYNIX 4GB H27UBG8T2CTR-BC HYNIX 4GB H27UBG08T2A/2B（4GB） 三星 4GB K9WBG08U1M-PCB0/PIB0 MT 4GB MT29F32G08CBAAAWC MT 4GB MT29F32G08CBAAAWP MT 4GB MT29F32G08CBACA MT 5GB MT29F32G08CBACA MT 4GB MT29F32G08CBABAWP HYNIX 8GB H27UCG8T2ATR-BC HYNIX 8GB H27UCG8T2BTR-BC 三星 8GB K9HCG08U1M-PCBO 三星 8GB K9LCG08U0B-SCB0 toshiba 8GB TC58TEG6DCJTA0　8GB MT 8GB MT29F64G08CBAAAWC：A MT 8GB MT29F64G08CFABAWP：B MT 8GB MT29F64G08CBAAAWP：A MT 8GB MT29F64G08CBABAWP MT 16GB MT29F128G08CFAAAWPA