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“CQS品牌原装P0640SB-半导体放电管-固体放电管”参数说明
| 是否有现货： | 否 | 认证： | UL SGS CQC |
| 品牌： | CQS | 类型： | 增强型MOS管(P沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 |
| 用途： | 过压保护 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | P0640SB | 规格： | DO-214AA |
| 商标： | CQS | 包装： | 2500 |
| 产量： | 800000000 |
“CQS品牌原装P0640SB-半导体放电管-固体放电管”详细介绍
概述：固体放电管（半导体放电管）是基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。它采用了先进的离子注入技术，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高等特点;广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，固态放电管已成为世界通讯设备的器件。
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================================================================================================产品特性：
1、浪涌吸收能力：10/700uS:4KV
2、封装形式：标准SMB封装（DO-214AA）
3、环保要求：符合RoHS、Reach等环保要求；
4、产品优点：可靠性高，精确导通、快速响应、耐压高，漏电流低
5、包装方式：盘装 2500PCS/盘
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产品常规电性参数表：
| Part Number | Marking | VDRM(V) | VS(V) | VT(v) | IDRM(uA) | IS(mA) | IT(A) | IH(mA) | Co(pF) |
| P0640SB | P06B | 58 | 77 | 4 | 5 | 800 | 2.2 | 150 | 60 |
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半导体放电管选型要点：
1）瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。
2）开关电压Vs必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压。
3）峰值断态电压必须大于被保护电路的工作电压。
4）若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
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储存条件
.1储存温度：-10℃～+40℃；
.2储存湿度：≤75% RH；
3避免存放在具有腐蚀性气体及光照直射的环境下；
4包装打开后需重新密封保存；
5储存期限：壹年
备注：储存条件相当重要，否则有出现氧化的可能
