场效应管 (SPW20N60C3)

品牌：	Infineon	类型：	增强型MOS管(N沟道)
材料：	N-FET硅N沟道	封装外形：	CER-DIP/陶瓷直插
用途：	MOS-INM/独立组件	导电方式：	增强型
封装：	To-3p/247

　　SPW20N60C3，采用TO-247封装方式。
　　晶体管极性：N沟道
　　漏极电流，Id　最大值：20.7A
　　电压，Vds　最大：650V
　　开态电阻，Rds（on）：0.19ohm
　　电压＠Rds测量：10V
　　电压，Vgs　最高：3V
　　功耗：208W
　　工作温度范围：-55°C　to＋150°C
　　针脚数：3
　　功率，Pd：208W
　　总功率，Ptot：208W
　　晶体管数：1
　　晶体管类型：MOSFET
　　温度＠电流测量：25°C
　　满功率温度：25°C
　　电压　Vgs＠Rds　on　测量：10V
　　电压，Vds：650V
　　电流，Idm　脉冲：62.1A
　　表面安装器件：通孔安装
　　所属类别：半导体二极管
　　基极/源极击穿电压：650　V
　　漏极连续电流：20.7　A　功
　　率耗散：208000　Mw
　　闸/源击穿电压：20　V
　　封装：Tube.
IR产品：
IRF1404PBF  IRF3205PBF IRF2807PBF IRF740PBF
IRF9Z24NPBF  IRFZ24NPBF  IRFP43232PBF IRFP4368PBF
美格纳产品：
MDP13N50TH  MDF13N50TH   MDF1N60TH  
MDF2N60TH   MDF4N60TH    MDP8N60TH
ON产品：
SG3525ADW
MUR860G  MUR8100EG  MUR1560G  MUR1540G
MUR3040PTG MUR3020PT/WTG  MUR3060PTG MUR1620CTRG
TOSHIBA产品：
2SK4108 2SK4107 2SK3878 TLP250 TLP350 TLP521
Infineon产品：
SPA1N80C3 SPA20N60C3 SPP20N60C3 SPA1N60C3
SPA04N80C3 SPA06N80C3 SPA07N60C3 IKW75N60T
Fairchild产品：
FDA59N30  FDPF18N50  FDPF15N65 FQA9N90C
RHRP860   RHRP15120  RHRP1560  RHRP3060
ST产品：
SG3525 SG25 STF23NM50 STP75NF75
深力科电子，专营IR/VISHAY,TOSHIBA,Infineon,
Fairchild,ST,Magnachip等品牌，型号繁多，未能列全
有需要请来电咨询1372377326 QQ27138986
直线：0755-82539855