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恒泰柯中低压MOSfet HGN029NE4SL

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最后更新: 2017-12-02 11:21
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明

“恒泰柯中低压MOSfet HGN029NE4SL”参数说明

是否有现货: 类型: 增强型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: SMD(SO)/表面封装
用途: 电机驱动 DFN5*6: 45V,2.9毫欧,持续电流180A

“恒泰柯中低压MOSfet HGN029NE4SL”详细介绍

HGN029NE4SL是DFN5*6mm封装,耐压45V RDSON 2.9毫欧 持续电流180A,加强型雪崩能量,适合快充,电机类应用。
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