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“IR进口原装N沟道场效应管IRF630NPBF TO-220AB封装, IRF630NPBF原装IR MOSFET N沟道200V 9.3A 300mΩ”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | RoHS SGS |
| 品牌： | IR | 类型： | 增强型MOS管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | Irf630npbf | 规格： | 200V/9.3A |
| 商标： | IR | 包装： | 500PCS/盒 |
“IR进口原装N沟道场效应管IRF630NPBF TO-220AB封装, IRF630NPBF原装IR MOSFET N沟道200V 9.3A 300mΩ”详细介绍
“代理IR系列100%原装正品保障MOS管 场效应管 IRF630NPBF, IRF630NPBF IRF640NPBF IR场效应MOS管 深圳现货”参数说明
是否有现货：是认证：RoHS SGS
品牌：IR类型：增强型MOS管(N沟道)
材料：N-FET硅N沟道封装外形：P-DIT/塑料双列直插
用途：SW-REG/开关电源导电方式：增强型
型号：Irf630npbf规格：200V/9.3A
商标：IR包装：500PCS/盒
“代理IR系列100%原装正品保障MOS管 场效应管 IRF630NPBF, IRF630NPBF IRF640NPBF IR场效应MOS管 深圳现货”详细介绍
IRF630NPBF IRF640NPBF IR场效应MOS管 深圳现货,代理IR系列100%原装正品保障MOS管 场效应管 IRF630NPBF
Drain to source voltage (Vdss):200V
Current continuous drain (Id) @ 25 degrees C:9A
Open state Rds (max) @ Id Vgs @ 25 degrees C:400 milliohms @ 4.5A, 10V
Id Vgs (th) (max): 250 4V @ A
Gate charge (Qg) @ Vgs:45nC @ 10V
Input capacitance (Ciss) @ Vds:700pF @ 25V
Power - the biggest: 75W
Mounting type: through hole
Package / shell: TO-220-3
Equipment supplier of packaging: TO-220AB
IRF630N
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Active
Benefits
RoHS Compliant
Low RDS(on)
Industry-leading quality
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
175°C Operating Temperature
